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ST901TFP

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN DARL 400V 4A TO-220FP
原厂封装:封装:TO-220FP
优势价格,ST901TFP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ST901TFP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ST901TFP是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能NPN达林顿功率晶体管,采用经典的TO-220FP(TO-220-3整包)通孔封装。该器件集成了高电压承受能力与高电流增益特性,其核心架构基于达林顿对管设计,通过两级晶体管的复合连接,实现了在相对较低的基极驱动电流下,对较大集电极电流的精确控制与放大。这种设计显著提升了器件的整体电流放大系数,使其成为需要高驱动能力与良好开关特性的功率控制应用的理想选择。

该晶体管具备400V的集射极击穿电压4A的最大集电极电流能力,能够从容应对工业级功率开关与电机驱动中常见的电压应力与电流负载。其饱和压降典型值在特定条件下仅为2V,这有助于降低器件在导通状态下的功耗,提升整体能效。尤为突出的是其极高的直流电流增益(hFE),在2A集电极电流与2V集射极电压条件下,最小值可达1500,这意味着仅需极小的基极电流即可驱动安培级的负载,极大地简化了前级驱动电路的设计,并降低了驱动IC的负担。对于需要可靠元器件供应的项目,可以咨询专业的ST中国代理获取库存与技术支持。

在接口与参数方面,ST901TFP提供了标准的TO-220三引脚(发射极、基极、集电极)接口,便于在散热器上安装以实现其80W的最大功耗管理。其集电极截止电流低至100A,确保了在关断状态下具有优异的漏电特性。尽管该系列产品目前已处于停产状态,但其成熟的工艺、稳定的性能参数以及广泛的应用验证,使其在现有设备维护、备件替换或对长期可靠性有极高要求的特定设计中,依然具有重要的参考价值和使用意义。

该器件典型的应用场景涵盖需要高电压、中电流开关控制的领域,例如开关模式电源(SMPS)中的功率开关、半桥或全桥拓扑结构、电子镇流器、以及各类交流或直流电机驱动电路。其达林顿结构的高增益特性也使其非常适合用于线性稳压电源的调整管,或作为继电器、电磁阀、指示灯等大电流负载的直接驱动元件,在工业自动化、电源管理和消费类电子产品的功率控制模块中曾扮演关键角色。

  • 型号:ST901TFP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220FP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN DARL 400V 4A TO-220FP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):400 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):2V @ 1A,5A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1500 @ 2A,2V
  • 功率 - 最大值:80 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220FP
  • 想获取ST901TFP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ST901TFP是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管,采用TO-220FP通孔封装。该器件集成了高耐压与高电流能力,其集射极击穿电压高达400V,最大集电极电流为4A,最大功耗达80W,适用于中高功率的开关与控制应用。

其核心优势在于极高的电流增益,在2A/2V条件下hFE最小值达1500,配合仅2V的典型饱和压降,实现了以微小驱动电流高效控制大功率负载,同时保持较低的导通损耗。这些特性使其在开关电源、电机驱动及线性稳压等需要可靠功率放大的场景中表现出色。

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