STB10N95K5

STB10N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高阻断电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低开关损耗和传导损耗，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。

该MOSFET具备一系列突出的电气特性。高达950V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电网电压波动和感性负载关断时产生的电压尖峰，为系统提供了充裕的安全裕量。在导通特性方面，在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为800毫欧（@4A），这直接转化为更低的通态损耗和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在22nC（@10V），结合630pF的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动能量较小，有助于简化驱动电路设计并进一步提升开关速度，减少开关过渡过程中的损耗。

在封装与可靠性层面，STB10N95K5采用工业标准的D2PAK（TO-263）表面贴装封装。这种封装形式具有良好的散热能力，其金属焊盘可直接焊接在PCB的铜箔区域，利用电路板作为散热器，支持器件在壳温（Tc）高达25°C时持续通过8A的漏极电流，最大功耗可达130W。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及相关设计资源。

凭借高耐压、低导通电阻和快速开关能力的组合，STB10N95K5非常适用于对效率和可靠性有高要求的功率转换场景。其主要应用方向包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和高压DC-DC变换器，例如服务器电源、工业电源和LED驱动电源。此外，它也适用于电机驱动控制、UPS（不间断电源）以及电焊机等需要高效处理高压大电流的工业设备中，是工程师构建高效、紧凑型功率系统的优选功率开关器件之一。

• 型号:STB10N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB10N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心优势在于其950V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至800毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压应用中能有效降低传导损耗。

该MOSFET在25°C壳温下可支持8A的连续漏极电流，最大功耗为130W。其开关特性经过优化，栅极电荷（Qg）最大值仅为22nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗，提升系统整体效率。器件工作结温范围宽广（-55°C ~ 150°C），确保了在各种环境条件下的稳定性和可靠性，主要面向要求严苛的工业级开关电源和功率转换系统。