STB10NK60Z-1

STB10NK60Z-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔安装的I2PAK封装，专为高电压、高效率的开关应用而设计。其核心架构通过优化的单元设计和先进的工艺技术，在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这对于降低开关损耗和传导损耗至关重要。

在功能特性方面，该器件在25°C壳温（Tc）条件下可提供高达10A的连续漏极电流，并支持高达115W的功率耗散能力，展现了其强大的电流处理与散热性能。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、4.5A漏极电流条件下，典型值仅为750毫欧，这直接转化为更低的导通状态功率损失。同时，其最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为4.5V，最大栅极电荷（Qg）为70nC，结合±30V的最大栅源电压耐受能力，意味着它能够被标准驱动电路高效、可靠地控制，并具备良好的抗干扰性。较低的栅极电荷有助于提升开关速度，减少开关过程中的能量损失。

从接口与参数角度看，该MOSFET的电气接口标准，其动态特性由输入电容（Ciss）、栅极电荷等参数定义，确保了在各类PWM控制器驱动下的稳定性和可预测性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要可靠供应链支持的批量项目，通过授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗性和供货稳定性的重要途径。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号或咨询制造商以获取最新产品信息。

基于其600V的耐压和10A的电流能力，STB10NK60Z-1非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器以及照明镇流器等场景。在这些应用中，其低导通电阻和高开关效率有助于提升整体系统的能效和功率密度，是工业控制、家电和照明等领域中构建高效功率转换级的经典选择之一。

• 型号:STB10NK60Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STB10NK60Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK通孔封装，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）和10A连续漏极电流，在高压开关应用中提供了坚实的性能基础。

其技术亮点在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至750毫欧，配合70nC的较低栅极电荷（Qg），共同确保了较低的传导损耗和开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并具备115W的功率耗散能力，适用于要求高可靠性的功率转换场景。