STB11N65M5

STB11N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡，这一特性对于提升开关电源的效率至关重要。其核心架构通过精密的单元布局和先进的沟槽工艺，有效降低了单位面积的导通损耗，同时保持了快速开关的动态性能，为高频率、高效率的功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

在电气特性方面，该MOSFET展现出卓越的性能参数。其额定漏源电压（Vdss）高达650V，确保了在离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）等高压应用中的可靠性与安全性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达9A，配合仅480毫欧（@4.5A, 10V）的最大导通电阻（Rds(on)），显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17nC（@10V），结合644pF的输入电容，意味着驱动电路所需的开关能量更低，有助于简化驱动设计并进一步提升系统在高频工作下的整体效率。

该器件设计有坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，这种封装形式具有良好的散热能力和较高的功率密度，适合自动化贴片生产。其最大结温（Tj）支持到150°C，在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散为85W，提供了宽裕的热设计余量。驱动电压（Vgs）范围为±25V，阈值电压Vgs(th)最大值为5V，确保了与主流控制器良好的兼容性和抗干扰能力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借650V的耐压等级、优异的开关特性与导通性能，STB11N65M5非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业级开关电源、服务器/通信电源的初级侧开关、照明用LED驱动电源、以及空调、洗衣机等家电中的电机驱动与PFC电路。其性能表现使其成为中高功率离线式电源设计中，提升能效等级和功率密度的理想选择。

• 型号:STB11N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:644 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB11N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心额定参数为650V漏源电压和9A连续漏极电流，专为高压、高效率的功率开关应用而设计。

其技术优势体现在关键性能参数的优化上：最大导通电阻（Rds(on)）低至480毫欧（@4.5A, 10V），有效降低了导通损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为17nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性共同保障了电源系统在高频工作下的整体效率。该器件支持高达150°C的结温，适用于工业电源、PFC电路及电机驱动等对可靠性和性能要求严苛的领域。