STW45NM60

STW45NM60是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性和坚固性，为高效率、高可靠性的功率转换应用提供了坚实的基础。

该器件具备一系列突出的电气特性。其650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的交流输入电压波动与开关尖峰，为系统提供了充裕的安全裕量。在导通性能方面，在10V驱动电压（Vgs）和22.5A测试条件下，其最大导通电阻仅为110毫欧，这意味着在传导过程中产生的功耗极低，有助于提升系统整体效率并简化散热设计。同时，其栅极电荷（Qg）典型值较低，有助于降低开关损耗，提升高频开关应用的性能上限。

在接口与参数层面，STW45NM60采用经典的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案。其最大连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达45A，最大功耗为417W，结合高达150°C的结温（Tj）工作能力，赋予了其强大的功率处理潜能和高温环境下的运行可靠性。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±30V的栅源电压，增强了驱动的便利性和抗干扰能力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理渠道进行采购与咨询。

得益于其高耐压、低导通电阻和高功率处理能力，STW45NM60非常适用于对效率和可靠性有严苛要求的功率电子领域。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、不间断电源（UPS）的逆变与整流模块、电机驱动与变频器中的功率级，以及电焊机、太阳能逆变器等专业设备。它能够有效提升这些系统的功率密度和能效等级，是工程师设计下一代高性能功率转换方案的优选器件之一。

• 型号:STW45NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:134 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:417W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW45NM60是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心优势在于结合了650V的高漏源电压（Vdss）与低至110毫欧（@10V， 22.5A）的导通电阻（Rds(on)），这得益于其采用的MDmesh技术，实现了优异的耐压与传导损耗平衡。

该器件在壳温条件下可支持高达45A的连续漏极电流和417W的功率耗散，工作结温高达150°C，展现出强大的电流处理能力和高温可靠性。其栅极电荷（Qg）较低，有利于实现高效的开关操作。这些特性使其成为要求高效率和高功率密度的开关电源、电机驱动及工业逆变器等应用的理想选择。