STB11NK50ZT4

STB11NK50ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻（R_DS(on)）与高阻断电压的良好平衡。其内部架构旨在最小化寄生电容，特别是栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss），这对于提升开关速度和降低开关损耗至关重要。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的电气性能组合。它具备500V的高漏源击穿电压（V_DSS），为离线式开关电源等应用提供了充足的电压裕量。在导通特性方面，其导通电阻在10V驱动电压、4.5A电流条件下典型值仅为520毫欧，确保了在10A连续漏极电流（I_D）下的低导通损耗。同时，最大68nC的栅极总电荷（Q_g）和优化的内部栅极电阻，使得器件能够实现快速、干净的开关转换，有效降低高频工作时的驱动损耗和电磁干扰（EMI）。

在接口与参数层面，STB11NK50ZT4采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的功率处理能力和散热特性，其最大结温（T_J）可达150°C。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（V_GS）可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取原装正品，确保设计的一致性与长期可靠性。

凭借高电压、低导通电阻和快速开关的特性，STB11NK50ZT4非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动和变频器中的逆变桥臂、以及UPS（不间断电源）和电子镇流器等功率转换系统。在这些应用中，它能够有效提升系统整体效率，减小散热器尺寸，并增强系统的鲁棒性。

• 型号:STB11NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:520 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1390 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB11NK50ZT4是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格为500V漏源电压（V_DSS）和10A连续漏极电流（I_D），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至520毫欧，有助于降低导通损耗。同时，最大68nC的栅极电荷（Q_g）确保了快速的开关速度，有利于提升系统工作频率和效率。这些特性使其成为离线式电源、电机驱动和功率转换等应用的理想选择。