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STB13005-1

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 400V 4A I2PAK
原厂封装:封装:TO-262(I2PAK)
优势价格,STB13005-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STB13005-1的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STB13005-1是ST意法半导体推出的一款高压、大电流双极性晶体管(BJT),采用NPN结构,设计用于处理高达400V的集电极-发射极电压和4A的连续集电极电流。其核心架构基于成熟的平面工艺,确保了在高压开关应用中的稳定性和可靠性。该器件采用TO-262(IPAK)封装,这种封装形式提供了良好的散热性能和机械强度,便于通过通孔方式安装在印刷电路板上,适用于需要承受较高功率应力的环境。

该晶体管的关键特性在于其强大的功率处理能力,最大集电极功耗可达75W,并能在高达150°C的结温下工作,展现了出色的热性能。其饱和压降在典型工作条件下(1A基极电流,4A集电极电流)最大仅为1V,这意味着在导通状态下的功率损耗较低,有助于提升整体系统的能效。虽然其直流电流增益(hFE)在2A、5V条件下最小值为8,属于典型的大电流、高压BJT特征,但这一参数与其快速开关能力相结合,使其非常适合作为开关元件使用。对于需要可靠元器件供应的项目,可以咨询专业的ST中国代理以获取库存和技术支持信息。

在电气参数方面,STB13005-1提供了明确的工作边界。其400V的VCEO击穿电压使其能够从容应对市电整流后的高压直流母线环境。集电极截止电流最大为1mA,确保了在关断状态下具有良好的隔离特性。这些参数共同定义了一个坚固耐用的开关器件,能够在苛刻的电气条件下稳定运行。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计规格和性能表现使其在诸多现有设计和备件更换市场中仍具有重要参考价值。

基于其高压、大电流和中等开关速度的特性,STB13005-1的传统应用场景主要集中在离线式开关模式电源(SMPS)的功率开关级,例如电视机、显示器电源以及工业电源的初级侧。它也常被用于电子镇流器、电机驱动控制电路以及UPS(不间断电源)系统中的逆变和转换环节。在这些应用中,它通常扮演着核心功率开关的角色,负责高效地控制能量流动,其鲁棒性是系统长期可靠运行的关键保障。

  • 型号:STB13005-1
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-262(I2PAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 400V 4A I2PAK
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):400 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1V @ 1A,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):1mA
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):8 @ 2A,5V
  • 功率 - 最大值:75 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
  • 供应商器件封装:TO-262(I2PAK)
  • 想获取STB13005-1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB13005-1是ST意法半导体生产的一款NPN型双极性功率晶体管,采用TO-262(IPAK)通孔封装。该器件设计用于高压开关应用,其核心规格包括高达400V的集电极-发射极击穿电压和4A的最大连续集电极电流,最大功耗为75W。

该晶体管在典型工作条件下具有较低的饱和压降(最大1V @ 1A, 4A),有助于减少导通损耗。其结温最高可工作至150°C,展现了良好的热稳定性。这些参数使其成为适用于开关电源、电子镇流器和电机控制等功率转换领域的可靠开关解决方案。

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