STB14NK50Z-1

STB14NK50Z-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔安装的I2PAK封装，其核心设计旨在通过优化的单元结构和先进的工艺技术，在高压、大电流的应用中实现低导通电阻与快速开关性能的良好平衡。其内部架构通过降低栅极电荷和输出电容，有效减少了开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。

该器件具备500V的漏源击穿电压（Vdss），在25°C壳温条件下可支持高达14A的连续漏极电流。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、6A漏极电流条件下典型值仅为380毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为92nC，结合最大2000pF的输入电容（Ciss），意味着它能够被标准驱动电路快速、高效地驱动，从而简化了外围电路设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±30V，提供了较强的抗干扰能力，而4.5V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）则确保了良好的噪声抑制和可靠的关断特性。

在热性能方面，该器件在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散为150W，结温工作范围覆盖-55°C至150°C，展现了其宽温域下的稳定工作能力。这些电气与热参数共同定义了其在苛刻环境下的可靠性边界。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关的产品信息与采购渠道。值得注意的是，该产品目前已处于停产状态，在进行新设计选型时需评估替代方案或库存可用性。

凭借其高压、中电流的处理能力和优化的开关特性，STB14NK50Z-1非常适用于对效率和可靠性有较高要求的离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级和主开关拓扑、工业电机驱动控制电路中的逆变桥臂、以及各类照明镇流器和UPS（不间断电源）系统中的功率转换部分。其I2PAK封装提供了良好的机械强度和散热性能，适合需要通过散热器进行热管理的应用场景。

• 型号:STB14NK50Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STB14NK50Z-1是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心规格为500V漏源电压（Vdss）和14A连续漏极电流（Id），为高压功率转换应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于优异的动态与静态性能平衡：最大380毫欧的低导通电阻（Rds(on) @ 10V, 6A）确保了较低的传导损耗，而最大92nC的栅极电荷（Qg @ 10V）则有利于实现快速的开关速度，从而降低开关损耗。该器件设计工作结温高达150°C，最大功耗150W，具备在严苛环境下稳定运行的鲁棒性。