STB14NM50N

STB14NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了出色的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（V_DSS）和12A的连续漏极电流（I_D）承载能力，为设计者提供了充裕的电压和电流裕量。其导通电阻在10V栅极驱动电压、6A漏极电流条件下典型值仅为320毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。此外，器件拥有较低的栅极电荷（Q_g），典型值在10V V_GS下为27nC，这有助于降低栅极驱动损耗，实现更快的开关速度，从而减少开关过程中的能量损失。

在接口与参数方面，STB14NM50N采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（T_C）下最大功耗可达90W。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±25V，提供了较宽的驱动安全范围。阈值电压V_GS(th)最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力。器件结温（T_J）最高可工作在150°C，ST中国代理可提供完整的技术支持与供应链服务，保障其在严苛环境下的可靠性与长期稳定性。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关的优良组合，该器件非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级和主转换级、工业电机驱动与变频器中的逆变和整流电路、不间断电源（UPS）以及电焊机等功率处理单元。在这些应用中，它能有效提升系统能效，减小散热器尺寸，最终实现更紧凑、更高效的电源与驱动解决方案。

• 型号:STB14NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB14NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心规格包括500V的漏源电压（V_dss）和12A的连续漏极电流（I_d）处理能力。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至320毫欧（@6A），这直接带来了更低的导通损耗。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为27nC（@10V），有助于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其成为追求高效率与高功率密度的中高功率应用的理想选择。