STD3N62K3

STD3N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）之间的出色平衡。这种核心架构旨在显著降低传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换应用提供了坚实的物理基础。

得益于SuperMESH3技术，该MOSFET展现出卓越的性能特性。其最大漏源电压（V_DSS）高达620V，为离线式开关电源（SMPS）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，在10V驱动电压（V_GS）和1.4A漏极电流条件下，其导通电阻典型值仅为2.5欧姆，有效降低了功率耗散。同时，其栅极电荷（Q_G）最大值控制在13nC（@10V），结合385pF的输入电容（C_iss），确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有助于提升系统整体能效。

该器件采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率处理能力和散热特性，在管壳温度（T_C）下可支持高达2.7A的连续漏极电流和45W的功率耗散。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±30V，提供了稳健的驱动兼容性。阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，有助于防止误触发并提高抗噪声能力。其结温（T_J）最高可工作于150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。用户可通过官方ST代理获取完整的技术资料、样品及采购支持。

凭借高耐压、低导通电阻和快速开关的综合优势，STD3N62K3非常适用于需要高效功率管理的场景。典型应用包括消费类电子产品的离线式电源适配器、LED照明驱动、辅助电源以及电机控制中的功率开关部分。在这些应用中，它能够有效提升电源的功率密度和转换效率，同时凭借其稳健的设计满足长期可靠性的要求。

• 型号:STD3N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD3N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心规格包括620V的漏源击穿电压（V_DSS）以及在管壳温度下2.7A的连续漏极电流能力。

其设计重点在于优化功率转换效率。通过实现低至2.5欧姆的导通电阻（R_DS(on)）与仅13nC的栅极电荷（Q_G），该MOSFET在降低传导损耗和开关损耗方面取得了良好平衡。这些特性使其成为开发紧凑、高效开关电源解决方案的理想选择，尤其适用于电源适配器、LED驱动和辅助电源等应用领域。