STW25N60M2-EP

STW25N60M2-EP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2-EP技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶元上实现了卓越的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的平衡，这一特性对于提升高频开关应用的效率至关重要。其核心架构旨在最小化传导和开关损耗，为高功率密度设计提供了坚实的基础。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS）和在25°C壳温下18A的连续漏极电流能力，确保了在高压母线环境下的可靠运行。其导通电阻在10V栅极驱动电压、9A漏极电流条件下典型值仅为188毫欧，有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，最大栅极电荷（Q_G）低至29nC（@10V），结合1090pF的输入电容，显著降低了栅极驱动电路的负担，使得开关速度更快，开关损耗更低，尤其适合高频硬开关和软开关拓扑。

器件采用坚固的TO-247通孔封装，最大结温（T_J）高达150°C，在壳温（T_C）条件下最大功率耗散为150W，提供了出色的热性能和功率处理能力。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±25V，增强了驱动电路的鲁棒性。阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.75V，提供了良好的噪声免疫能力。广泛的ST代理商网络可确保该器件的稳定供应和技术支持。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STW25N60M2-EP非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的工业级应用。其主要应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和DC-DC变换器、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及电焊机等高性能功率转换系统。其宽工作温度范围（-55°C至150°C）也使其能够适应严苛的工业环境。

• 型号:STW25N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:188 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW25N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2-EP产品系列。该器件设计用于高压、高开关频率的应用，其核心优势在于优异的动态性能与低导通损耗的平衡。

该MOSFET提供600V的漏源电压（V_DSS）额定值和18A（T_C=25°C）的连续漏极电流能力。其关键特性包括极低的导通电阻（188mΩ @ 9A, 10V）和较低的栅极电荷（29nC @ 10V），这共同确保了在高频开关条件下仍能保持高效率。器件采用TO-247封装，最大结温为150°C，功率耗散能力达150W（T_C），具备坚固的工业级可靠性。