STB155N3H6

作为ST意法半导体旗下STripFET VI系列及DeepGATE技术平台的重要成员，STB155N3H6是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。该器件基于先进的平面工艺，通过优化单元结构和沟道设计，实现了在紧凑的封装内兼具高电流处理能力与极低的导通损耗。其核心设计理念在于平衡开关性能与导通电阻，使其在30V的中低压工作区间内表现出色，尤其适用于对效率和功率密度有严苛要求的现代电源与电机控制系统。

该器件最突出的特性在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压、40A漏极电流条件下，其R_DS(on)典型值仅为3毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Q_g）被控制在62nC（@10V）的水平，结合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计，实现更快的开关速度。其宽泛的栅源电压（V_GS）耐受范围（±20V）也提供了更强的鲁棒性和设计灵活性。对于需要稳定可靠货源和深度技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗与供应链安全的重要途径。

在接口与参数方面，STB155N3H6采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的散热性能和机械强度。其连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下高达80A，最大功率耗散为110W，展现了强大的电流承载与热管理潜力。其工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了其在工业级严苛环境下的可靠运行。这些参数共同定义了一个高效、坚固的功率开关解决方案。

基于上述技术特点，该器件非常适合应用于需要高效率功率转换和控制的场景。典型应用包括同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和负载点转换器）、电机驱动控制（如电动工具、无人机电调）、电池管理系统中的充放电控制以及各类工业电源中的功率开关。其优异的性能使其成为在有限空间内实现高功率密度、高可靠性设计的优选元件。

• 型号:STB155N3H6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB155N3H6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值3mΩ @ 10V, 40A）与高达80A的连续漏极电流承载能力，这使其在30V的工作电压下能够显著降低传导损耗，提升系统整体效率。

该器件隶属于采用DeepGATE技术的STripFET VI产品系列，具备优化的开关特性，栅极电荷（Q_g）为62nC，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。其宽工作结温范围（-55°C至175°C）和110W的功率耗散能力，确保了其在苛刻的工业环境与高功率密度应用中的稳定性和可靠性。