STP16NM50N

STP16NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其第二代MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，旨在优化高压开关应用中的导通损耗与开关性能的平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺，在维持高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），这一特性对于提升系统效率至关重要。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（V_DSS）和15A的连续漏极电流（I_D）承载能力，使其能够从容应对离线式电源、电机驱动等场合中的高压应力和电流应力。其导通电阻在典型工作条件下（10V栅极驱动，7.5A电流）最大值为260mΩ，较低的R_DS(on)直接转化为更低的导通损耗和发热。同时，器件拥有优化的栅极电荷（Q_g）特性，典型值仅为38nC（@10V），结合1200pF的输入电容（C_iss），这有助于降低栅极驱动电路的损耗，实现更快的开关速度，从而减少开关过渡过程中的能量损失。

在接口与参数方面，STP16NM50N采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器，其最大结温（T_J）高达150°C，确保了在恶劣热环境下的可靠工作。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，并支持高达±25V的栅源电压，提供了良好的噪声抑制能力和驱动灵活性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品的库存、替代方案或相关设计资源。

这款MOSFET典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、工业电机控制驱动器、照明镇流器以及不间断电源（UPS）系统。其高耐压、低导通电阻和快速开关特性的结合，使其非常适合用于要求高效率和高功率密度的AC-DC转换及高压DC-DC转换拓扑中，例如反激、正激或半桥电路，是工程师构建可靠、高效功率系统的经典选择之一。

• 型号:STP16NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP16NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh II产品系列。该器件核心规格为500V漏源电压（Vdss）和15A连续漏极电流（Id），采用TO-220AB通孔封装，最大结温可达150°C。

其技术优势体现在较低的导通损耗与良好的开关性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为260毫欧，同时栅极电荷（Qg）典型值低至38nC。这些参数共同作用，旨在提升高压开关应用中的整体能效和功率密度。