STFI15N65M5

STFI15N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和制造工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备650V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业及消费类电源应用中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为11A，结合低至340毫欧（@5.5A, 10V）的导通电阻，意味着在导通期间能够有效降低功率损耗，减少发热。其栅极电荷（Qg）典型值较低，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，而高达±25V的栅源电压（Vgs）容限则提供了更强的抗干扰能力。

在电气参数方面，STFI15N65M5的阈值电压Vgs(th)最大值为5V，确保了在通常的驱动电压下可靠开启。其输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有利于实现更快的开关速度。该器件采用通孔安装的I2PAKFP（TO-281）封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，最大功率耗散能力为30W（Tc），最高结温（TJ）可达150°C，保证了在严苛环境下的工作可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购咨询。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，这款器件非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和主开关拓扑、照明应用的电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及各类适配器和充电器。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备和备件市场中，它仍然是一个经过验证的高性能选择，体现了ST在高压功率MOSFET领域深厚的技术积累。

• 型号:STFI15N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI15N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于650V的漏源电压（Vdss）额定值与低导通电阻特性的结合，在25°C壳温下可支持11A的连续漏极电流。

其技术参数针对高效率进行了优化，典型导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下仅为340毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）有利于实现快速的开关切换，从而减少开关损耗。器件采用坚固的I2PAKFP通孔封装，提供良好的热管理能力，适用于对可靠性和性能有较高要求的功率转换场景。