STB15NM60ND

作为ST意法半导体FDmesh II产品系列中的一员，STB15NM60ND是一款采用先进超结技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的垂直结构设计，通过降低单元密度和优化电荷平衡，在保持高击穿电压的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系。这种设计使得器件在高压开关应用中能够实现更低的传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。

该器件具备多项突出的电气特性。高达600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换和电机驱动中常见的电压应力和浪涌。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）额定值为14A，结合在10V驱动电压、7A电流条件下最大仅为299毫欧的导通电阻（Rds(on)），确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在40nC（@10V），这有助于简化驱动电路设计，并实现快速开关，减少开关过渡期间的损耗。

在接口与参数方面，STB15NM60ND采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的功率处理能力和散热特性，其最大功率耗散为125W（Tc）。器件支持高达±25V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度。其输入电容（Ciss）在50V条件下最大为1250pF，与较低的Qg值相结合，优化了高频开关性能。需要注意的是，该器件结温（TJ）最高可工作至150°C，但用户需通过ST中国代理或官方渠道确认其当前“停产”状态下的供货与替代方案。

凭借其高压、低损耗的特性组合，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、以及不同断电源（UPS）和电焊机等设备的功率级。在这些应用中，它能有效提升系统能效，并满足严苛的散热与电气环境要求。

• 型号:STB15NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB15NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II系列。该器件采用先进的超结技术，在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了优异的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）性能平衡。

其关键参数包括：在壳温25°C下连续漏极电流（Id）达14A，在10V驱动电压、7A电流条件下导通电阻最大值仅为299毫欧，同时栅极电荷最大值被控制在40nC。这些特性共同确保了器件在高压开关应用中兼具低传导损耗与快速开关能力，有助于提升整体电源转换效率。器件采用D2PAK表面贴装封装，最大功率耗散为125W（Tc），适用于对功率密度和散热有要求的紧凑型设计。