STB19NM65N

STB19NM65N是ST意法半导体基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直扩散MOS（VDMOS）结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低导通电阻与高开关速度的良好平衡。其核心在于多漏极（MD）网状栅极架构，该架构显著增加了单元密度，有效降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时通过精心设计的电荷平衡技术，改善了器件的动态特性，使其在高压开关应用中表现出优异的性能。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达650V，确保了其在离线电源、工业电机驱动等高压环境下的可靠隔离与安全工作。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为15.5A，结合最大仅270毫欧的导通电阻（在7.75A，10V条件下），意味着在导通期间能够有效降低功率损耗，提升系统整体效率。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）可承受±25V，提供了充足的噪声裕量。此外，栅极总电荷（Qg）典型值较低，这有助于减少开关过程中的驱动损耗，并允许使用更简单、成本更低的栅极驱动电路，从而简化系统设计。

在封装与接口方面，STB19NM65N采用表面贴装型的D2PAK（TO-263）封装。这种封装具有出色的散热性能和较高的功率处理能力，其金属裸露焊盘（Tab）与内部漏极相连，可直接焊接在PCB的铜箔上以增强散热。器件的最大功率耗散能力为150W（Tc），结合高达150°C的最大结温（Tj），使其能够在高温环境下稳定运行。对于需要可靠供应链支持的批量项目，建议通过授权的ST一级代理进行采购，以确保获得正品和技术支持。

凭借650V的高耐压、较低的导通与开关损耗以及坚固的封装，这款器件非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业变频器和电机驱动器的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及电焊机等设备中的功率开关部分。它为设计工程师在高压、中功率应用场景中提供了一个经过市场验证的高性能解决方案。

• 型号:STB19NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB19NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心参数包括650V的漏源电压（Vdss）和15.5A的连续漏极电流（Id），具备强大的高压大电流处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（Rds(on)）与良好开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值较低，有助于减少导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。这些特性使其成为提升开关电源和电机驱动系统效率的理想选择。