STB20NK50ZT4

STB20NK50ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装型D2PAK封装。该器件隶属于ST先进的SuperMESH产品系列，这一系列通过优化的单元结构和工艺技术，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构基于成熟的平面MOSFET技术，通过专有的SuperMESH工艺对元胞密度和沟道设计进行了增强，从而在维持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通损耗，提升了功率转换效率。

该器件的主要功能特性体现在其优异的电气参数上。它具备500V的高漏源击穿电压（Vdss），能够承受工业级应用中的高压应力。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、8.5A测试电流下典型值仅为270毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）典型值为119nC，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的损耗，这对于高频开关电源设计至关重要。其最大连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达17A，最大功耗为190W，结温（Tj）最高可工作于150°C，展现了良好的功率处理能力和热稳定性。

在接口与参数层面，STB20NK50ZT4采用标准的D2PAK（TO-263）封装，便于自动化表面贴装生产，其封装形式也提供了良好的散热路径。其栅极驱动电压（Vgs）范围宽至±30V，但为了获得最低的导通电阻，推荐使用10V的标准驱动电压。阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了良好的噪声抑制能力和易驱动性。用户如需获取该产品的详细技术资料、库存信息或技术支持，可以咨询专业的ST中国代理。

基于其高耐压、低导通电阻及快速开关的特性，这款MOSFET非常适用于对效率和可靠性有较高要求的功率转换场景。典型的应用领域包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、工业电机驱动与控制的逆变器模块、以及UPS不同断电源和电焊机等工业设备中的功率开关部分。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计中，它仍然是一个经过市场验证的高性能选择。

• 型号:STB20NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:119 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB20NK50ZT4是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其高电压与低损耗的平衡设计，提供500V的漏源电压（Vdss）和低至270毫欧（@10V， 8.5A）的导通电阻，有效降低了功率导通阶段的能量损耗。

其电气参数支持高效功率开关应用，最大连续漏极电流达17A（Tc），栅极电荷（Qg）典型值为119nC，有利于实现快速的开关速度，提升系统整体效率。器件结温最高可承受150°C，功率耗散能力为190W（Tc），确保了在严苛环境下的稳定运行。这些特性使其成为开关电源、电机驱动及工业功率控制等应用的理想选择。