STB24NM60N

STB24NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过改进的单元结构和外延层工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（Vdss）高达600V，确保了在工业级AC-DC电源、电机驱动等高压应用中的可靠性与安全性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达17A，配合最大仅190毫欧的导通电阻（在10V Vgs， 8A Id条件下），能够有效降低导通状态下的功率损耗，减少发热。其栅极电荷（Qg）典型值较低，约为46nC（在10V Vgs条件下），这有助于降低开关损耗，简化栅极驱动电路的设计，并允许在更高频率下工作。此外，其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在接口与参数方面，STB24NM60N采用标准的表面贴装D2PAK（TO-263）封装，这种封装具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产。其最大功耗为125W（Tc），结合宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C），使其能够适应苛刻的环境条件。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于抑制开关过程中的电压尖峰和振荡。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高性能指标，该器件非常适合应用于对效率和可靠性要求严苛的领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及电焊机等功率转换设备。在这些场景中，其低导通电阻和快速开关能力直接转化为更高的系统效率和更紧凑的散热设计，是工程师实现高效能、高功率密度电源解决方案的理想选择。

• 型号:STB24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB24NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心规格包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为190毫欧，能显著降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg， 典型值46nC）确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率并降低开关损耗。器件采用D2PAK表面贴装封装，最大功耗125W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业环境。