STB28N65M2

STB28N65M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶元上实现了卓越的开关性能与导通电阻（Rds(on)）之间的平衡。其核心在于第二代MDmesh多漏极技术，通过创新的单元结构和加工工艺，显著降低了栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），同时保持了高耐压能力，这使其在高频开关应用中能够有效降低开关损耗和驱动需求，提升整体能效。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其650V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压裕量，适用于工作在高压母线环境下的功率转换拓扑。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达20A，支持处理可观的功率等级。尤为关键的是，其在10V栅极驱动电压、10A漏极电流条件下的导通电阻典型值仅为180毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗，有助于减少发热并提升系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在35nC（@10V），结合±25V的最大栅源电压（Vgs）范围，意味着它既易于驱动，又能提供良好的抗干扰能力。

在封装与接口方面，STB28N65M2采用了坚固耐用的表面贴装型D2PAK封装。这种封装具有良好的热性能和功率耗散能力，其最大功率耗散可达170W（Tc），结合高达150°C的最大结温（TJ），确保了器件在严苛环境下的可靠运行。其输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于简化栅极驱动电路设计。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询，以保障项目的顺利进行。

凭借其高耐压、低导通电阻和优化的开关特性，STB28N65M2非常适合于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主逆变级、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器中的DC-AC或DC-DC功率转换模块。在这些领域中，它能够有效提升系统功率密度和能效，满足日益严格的能源法规要求。

• 型号:STB28N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB28N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）和20A（Tc）的高连续漏极电流能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的性能平衡：在提供高达170W（Tc）功率处理能力的同时，保持了低至180毫欧（@10A,10V）的导通电阻，这直接降低了导通损耗。此外，优化的栅极电荷（35nC @10V）和输入电容特性，使其具备快速开关能力，有助于提升高频开关电源的效率。器件采用D2PAK表面贴装封装，支持高达150°C的结温，确保了在工业级应用环境下的稳健性与长寿命。