STB32NM50N

STB32NM50N是一款基于意法半导体先进MDmesh II技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心架构通过创新的单元布局和工艺改进，显著降低了栅极电荷和内部电容，这不仅提升了开关速度，也有效减少了开关过程中的能量损耗，为高效率功率转换奠定了物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其500V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在高压应用中的可靠性与安全裕度。在导通特性方面，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值远低于130毫欧（@11A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为62.5nC，结合1973pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有快速的开关响应能力，有助于降低驱动电路的负担并优化高频工作性能。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，提供了良好的抗干扰能力。

在封装与热管理方面，STB32NM50N采用TO-263（DPak）表面贴装封装，该封装具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（Tc）下最大功耗可达190W，结温（Tj）最高支持150°C，确保了器件在严苛环境下的稳定运行。其22A的连续漏极电流（Id）承载能力，使其能够胜任中等功率等级的能量传输与控制任务。对于需要本地化技术支持和供应链保障的客户，可以联系ST中国代理获取更详细的产品资料与设计支持。

凭借其高压、低损耗、快速开关的综合性优势，STB32NM50N非常适用于要求高效率和高可靠性的开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）、DC-DC转换器及电机驱动逆变器等应用场景。它在工业电源、服务器电源、不间断电源（UPS）以及新能源领域的功率控制单元中，都能作为关键开关元件，有效提升整机功率密度与能效表现。

• 型号:STB32NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 500V 22A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1973 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB32NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用表面贴装型TO-263（DPak）封装，专为高效能功率转换应用而设计。

其核心电气参数包括500V的漏源电压（Vdss）和22A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。关键优势在于其优异的低导通电阻特性（典型值远低于130mΩ @ 11A, 10V）与极低的栅极电荷（最大62.5nC @ 10V），这共同实现了更低的传导损耗和更快的开关速度，从而显著提升系统整体效率。

该器件支持高达150°C的结温工作，最大功耗为190W（Tc），确保了在高温高功率环境下的可靠性与稳定性，是工业电源、电机驱动及各类开关电源设计中理想的功率开关选择。