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BZW50-68的图片

BZW50-68

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 68VWM 157VC R6
原厂封装:封装:R-6
优势价格,BZW50-68的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZW50-68的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体TRANSIL系列中的一员,BZW50-68是一款基于成熟齐纳二极管技术的单向瞬态电压抑制器(TVS)。其核心架构围绕一个高性能的硅PN结构建,该结经过优化设计,能够在纳秒级时间内响应过压瞬变,通过雪崩击穿效应将多余的电流能量安全地导入地线,从而将敏感电子线路上的电压箝位在一个安全的预设水平。这种快速响应机制是其保护功能的基础,确保被保护电路免受静电放电(ESD)、电感负载切换或雷击感应等瞬态事件的损害。

该器件的关键功能特性体现在其精确的电压保护参数上。其标称反向断态电压为68V,这意味着在正常工作条件下,它呈现高阻抗状态,对电路影响极小。当遭遇瞬态过压时,其击穿电压最小值为75.6V,确保保护动作的启动阈值明确。尤为重要的是,在承受高达382A(8/20s波形)的峰值脉冲电流冲击时,其箝位电压最大值被严格限制在157V,这一强大的浪涌吸收和电压箝位能力是其核心价值所在。其峰值脉冲功率处理能力达到5kW,展现了应对高能量瞬态事件的高可靠性。对于需要可靠元器件供应的客户,可以通过授权的ST代理渠道获取此产品,确保货源的正规与技术支持。

在电气接口与参数方面,BZW50-68采用标准的单向通道设计,适用于直流或具有明确极性的电路保护。其封装形式为经典的轴向引线R-6封装,便于通孔安装(THT),具有良好的机械强度和散热特性。需要注意的是,其在1MHz频率下的结电容约为3000pF,这一参数对于高频信号线路的应用是需要权衡的因素,但在大多数通用电源或低频数据线路中,其影响在可接受范围内。该器件被归类为“通用”应用,零件状态为“有源”,表明其是当前量产且推荐用于新设计的标准产品。

基于上述技术规格,BZW50-68非常适合用于需要稳健过压保护的各类电子系统。典型应用场景包括工业自动化设备中的24V或48V直流电源总线保护、通信设备的直流供电端口防护、汽车电子中的负载突降保护,以及任何工作电压在数十伏特范围内、可能遭受雷击感应浪涌或开关噪声干扰的电路节点。其通用型设计和高功率处理能力使其成为工程师在初级或次级侧电路保护方案中一个可靠且经济高效的选择。

  • 型号:BZW50-68
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:R-6
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 68VWM 157VC R6
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):68V
  • 电压 - 击穿(最小值):75.6V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):157V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):382A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:3000pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:R-6,轴向
  • 供应商器件封装:R-6
  • 想获取BZW50-68的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BZW50-68是ST意法半导体推出的一款单向瞬态电压抑制二极管(TVS),属于TRANSIL系列。其核心设计用于在纳秒级时间内响应并抑制过电压瞬变,为后级敏感电路提供可靠保护。

该器件标称工作电压为68V,最小击穿电压75.6V。其突出特性在于强大的浪涌处理能力,在承受高达382A(8/20s)的峰值脉冲电流时,能将电压箝位在最大值157V以内,峰值脉冲功率高达5kW。这些参数使其能够有效抵御ESD、感应浪涌等高能量瞬态干扰。

采用轴向R-6通孔封装,BZW50-68是一款状态有源的通用型保护器件,适用于工业电源、通信端口、汽车电子等需要高可靠性过压保护的直流应用场景。

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