STB35N65DM2

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STB35N65DM2是一款基于先进MDmesh M2技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶元上实现了卓越的开关性能与导通损耗的平衡。其核心在于通过改进的单元结构和工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时优化了内部寄生电容，这对于提升高频开关应用下的整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（Vdss）高达650V，确保了在离线式电源、功率因数校正（PFC）等高压环境中稳定可靠地工作。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）可达28A，配合仅110毫欧（在14A，10V条件下）的最大导通电阻，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了能效。栅极驱动方面，其标准驱动电压为10V，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，具备良好的噪声抑制能力。此外，较低的栅极电荷（Qg，最大值54nC @ 10V）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于简化栅极驱动电路设计并提升系统频率。

在封装与可靠性层面，STB35N65DM2采用表面贴装型的D2PAK封装，这种封装具有良好的散热性能和较高的功率处理能力，其最大功率耗散为210W（Tc）。宽广的工作结温范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应严苛的工业环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、低损耗和快速开关的特性，这款器件非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明应用的电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源以及不间断电源（UPS）系统。在这些应用中，它能够帮助设计工程师实现更紧凑的布局、更高的系统效率以及更优的温升控制，是开发下一代高性能功率转换系统的关键组件之一。

• 型号:STB35N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB35N65DM2是ST意法半导体MDmesh M2系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心优势在于650V的漏源电压（Vdss）和28A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

该器件在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为110毫欧（@14A），配合最大54nC（@10V）的栅极电荷（Qg），实现了低导通损耗与快速开关特性的优异结合。这些参数使其在提升系统效率、降低热管理和允许更高开关频率方面表现突出，适用于开关电源、PFC及工业电源等高效能转换领域。