STW28NM50N

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STW28NM50N是一款采用先进的MDmesh II技术平台构建的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，在单晶元上集成了创新的单元布局和专利的缓冲层技术，旨在实现极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的优异折衷。这种架构的核心优势在于显著降低了传导损耗和开关损耗，使得器件在高频开关应用中能够维持高效率运行，同时其坚固的体二极管特性也增强了系统的可靠性。

在功能特性上，STW28NM50N展现出卓越的电气性能。其漏源击穿电压（V_DSS）高达500V，能够从容应对工业级功率转换中常见的电压应力和尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值达到21A，确保了强大的电流处理能力。尤为关键的是，其导通电阻在10V驱动电压、10.5A测试条件下典型值仅为158毫欧，这直接转化为更低的导通压降和发热量。配合最大仅50nC的栅极总电荷（Q_g @ 10V），使得驱动电路的设计更为简化，并能实现快速开关，有效减少开关过渡期间的损耗。

该器件采用标准的TO-247-3通孔封装，提供了优异的散热路径和机械坚固性，其最大结温（T_J）可达150°C，允许在高温环境下稳定工作。其栅源电压（V_GS）支持±25V的范围，提供了足够的噪声容限和驱动灵活性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取原装正品及相关设计资源。这些接口与参数特性共同构成了STW28NM50N高功率密度和高可靠性的基础。

基于其高性能表现，STW28NM50N非常适用于要求高效率和高功率密度的开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、硬开关和软开关桥式转换器。此外，它在电机驱动与控制、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及工业照明镇流器等应用场景中，也是实现高效能量转换的核心功率开关选择。其平衡的性能参数使其成为工程师在开发500V级中高功率应用时的优选解决方案。

• 型号:STW28NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:158 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW28NM50N是ST意法半导体基于MDmesh II技术推出的N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件核心优势在于其500V的漏源电压（V_DSS）和21A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点体现在优异的动态与静态性能平衡上：在10V驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）低至158毫欧（@10.5A），同时栅极电荷（Q_g）最大值仅为50nC（@10V）。这种低R_DS(on)与低Q_g的组合，能够显著降低系统的传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效和功率密度，适用于对效率要求苛刻的功率转换场景。