STB46N60M6

ST意法半导体推出的STB46N60M6是一款采用先进平面工艺和MDmesh M6技术构建的N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的D2PAK表面贴装封装，其核心设计旨在实现高电压下的卓越开关性能与导通效率。通过优化的单元结构和超结技术，它在维持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），这一架构特性使其在功率转换应用中能够有效降低传导损耗，提升系统整体能效。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达600V，为离线式开关电源、电机驱动等应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值可达36A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、18A漏极电流条件下典型值仅为80毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。此外，其栅极总电荷（Q_g）典型值低至53.5nC（@10V），结合适中的输入电容（C_iss），有助于实现快速的开关切换，从而降低开关损耗，尤其适用于高频工作环境。

在接口与参数方面，STB46N60M6的标准栅极驱动电压为10V，最大栅源电压（V_GS）可承受±25V，提供了稳健的驱动兼容性和抗干扰能力。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.75V，确保了良好的噪声抑制。器件最大功耗为250W（Tc），并支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，这得益于其坚固的D2PAK封装，该封装具有良好的热性能，便于将热量传导至散热器。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电压、大电流、低损耗和坚固耐用的特性，STB46N60M6非常适合于要求严苛的汽车电子和工业应用场景。在汽车领域，作为符合AEC-Q101标准的产品，它可用于电动助力转向（EPS）、油泵/水泵控制、车载充电机（OBC）及DC-DC转换器等系统。在工业领域，它是开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器以及工业电机驱动和变频器中的理想功率开关选择，为工程师设计高效、紧凑且可靠的功率解决方案提供了核心器件支持。

• 型号:STB46N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB46N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK封装，并符合汽车级AEC-Q101标准。其核心优势在于600V的高漏源电压（V_DSS）和36A（Tc）的高连续漏极电流（I_D）处理能力，为高压大功率应用提供了坚实基础。

该器件的关键技术卖点在于其优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值低至80毫欧（@18A），能显著降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Q_g，典型53.5nC @10V）有助于实现快速开关，减少开关损耗，提升系统效率。这些特性使其成为汽车电子和工业电源系统中高效功率转换和电机驱动的优选器件。