STB47N50DM6AG

STB47N50DM6AG是ST意法半导体推出的一款面向汽车应用的高可靠性N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面工艺技术制造，其核心架构旨在实现高电压下的高效率与低损耗。其设计重点在于优化了单元密度与导通电阻（Rds(on)）之间的平衡，从而在紧凑的封装内实现了出色的电流处理能力和开关性能。

该器件具备多项关键特性以满足严苛的汽车电子环境要求。其额定漏源电压（Vdss）高达500V，为车载高压系统如DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统提供了充足的电压裕量。极低的导通电阻确保了在导通状态下功率损耗的最小化，直接提升了系统的整体能效和热性能。此外，其开关特性经过优化，具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这有助于降低开关损耗，并允许使用更小、更快的驱动电路，从而简化系统设计并提升开关频率。

在接口与参数方面，STB47N50DM6AG采用表面贴装型DPAK（TO-263）封装，这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度，适合自动化生产。其工作温度范围符合汽车级标准，确保在引擎舱等高温环境下稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品，以确保元器件的正品品质和供货稳定性。

该MOSFET主要针对需要高电压、高效率开关的汽车电子应用场景。它非常适合用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的高压辅助电源转换、车载充电机（OBC）的PFC及DC-DC级、以及水泵、油泵等电机驱动单元。其高可靠性和优化的性能参数使其成为设计工程师在开发符合AEC-Q101标准的汽车功率系统时的理想选择，有助于实现更紧凑、更高效、更耐久的车载电力电子解决方案。

• 型号:STB47N50DM6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 500 V
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:71 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB47N50DM6AG是ST意法半导体生产的一款汽车级N沟道功率MOSFET。该器件额定漏源电压为500V，专为应对汽车高压环境而设计，提供了可靠的电压阻断能力。

其核心优势在于实现了低导通电阻与优化开关特性的结合，旨在最大限度地降低功率损耗，提升系统效率。采用DPAK（TO-263）表面贴装封装，具备良好的热性能，完全符合汽车电子对高可靠性和宽工作温度范围的严苛要求。