STB4N62K3

STB4N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精细的单元设计和创新的沟槽栅极工艺，在硅片层面实现了卓越的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这一关键品质因数（FOM）的显著降低，直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，提升了整体能效。其结构设计确保了在高电压应力下的稳定性和可靠性，为开关电源应用提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的核心优势体现在其高压与快速开关性能的平衡上。它具备620V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业级AC-DC变换器中常见的电压应力与浪涌。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其导通电阻典型值较低，有助于减少导通状态下的功率耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为14nC，结合适中的输入电容，意味着驱动电路可以更快速地对栅极进行充放电，从而实现更陡峭的开关边沿和更高的工作频率，这对于提升开关电源的功率密度至关重要。

在电气参数上，STB4N62K3在25°C壳温下可连续通过3.8A的漏极电流，最大功耗为70W。其栅源阈值电压Vgs(th)设计合理，确保了良好的噪声免疫能力和可控的开启过程。器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，该封装具有良好的热性能，便于将芯片产生的热量传导至PCB板，结合高达150°C的最大结温，使其能够在严苛的环境下稳定工作。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过专业的ST芯片代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借其高压、高效的特点，这款MOSFET非常适用于需要高可靠性和高效率的中等功率离线式开关电源（SMPS）领域。典型应用包括台式电脑、游戏机、液晶电视的辅助电源，以及工业控制设备的电源模块。在功率因数校正（PFC）电路、反激式（Flyback）或正激式（Forward）变换器的初级侧开关位置，它都能发挥关键作用，帮助系统设计在效率、尺寸和成本之间取得优化平衡。

• 型号:STB4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.95 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB4N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心规格为620V漏源电压（Vdss）与3.8A连续漏极电流（Id），专为应对高压开关环境而设计。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡。器件在10V栅极驱动下，具备较低的导通电阻，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在14nC，这有效协同降低了导通与开关损耗，有助于提升电源系统的整体能效和工作频率。高达150°C的结温（TJ）和70W的功率耗散能力，确保了其在紧凑空间和高温环境下的运行可靠性。