STL7LN80K5

STL7LN80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用创新的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡。其核心在于优化的单元结构和先进的制造工艺，使得在800V的高漏源电压（Vdss）额定值下，依然能保持较低的导通电阻（Rds(on)），从而有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在高压应用中表现出色。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、2.5A漏极电流条件下典型值仅为1.15欧姆，这直接转化为更低的传导损耗。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在12nC（@10V），结合270pF（@100V）的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗较低，有助于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了良好的抗干扰能力。器件采用表面贴装的PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其结温（Tj）工作范围覆盖-55°C至150°C，最大功率耗散能力为42W（Tc），确保了在严苛环境下的可靠运行。

在接口与参数方面，STL7LN80K5作为一款5A连续漏极电流（Id）等级的器件，其阈值电压Vgs(th)最大为5V（@100A），确保了与标准逻辑电平或控制器输出的良好兼容性。用户可通过官方授权的ST代理商获取完整的数据手册、应用笔记以及样品支持，以进行深入的电路评估与设计。

凭借800V的耐压和平衡的开关特性，这款MOSFET非常适用于需要高效功率转换和管理的离线式开关电源（SMPS），如PC电源、服务器电源和工业电源的PFC（功率因数校正）及主开关拓扑。它也适用于照明领域的LED驱动电源、工业电机控制中的辅助电源以及各种家用电器中的功率开关电路。其紧凑的PowerFlat封装使其成为空间受限但要求高功率密度设计的理想选择。

• 型号:STL7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取STL7LN80K5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL7LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，核心额定参数为800V漏源电压（Vdss）和5A连续漏极电流（Id），专为高效的高压开关应用而设计。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好结合。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.15欧姆，有助于最小化传导损耗。同时，最大12nC的栅极电荷（Qg）有利于降低开关损耗并支持更高的开关频率。器件结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。