STB57N65M5

STB57N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡，其650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及消费类电源应用中常见的电压应力和开关瞬态。

该芯片的核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压、21A漏极电流条件下，其最大值仅为63毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体能效并减少热耗散。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为98nC，结合优化的内部电容特性，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率得以提升，从而支持更紧凑的磁性元件设计。

在电气参数方面，STB57N65M5在壳温（Tc）条件下可支持高达42A的连续漏极电流，最大功耗为250W，其结温（Tj）最高可工作于150°C，展现了强大的电流处理能力和高温下的可靠性。器件采用表面贴装型D2PAK封装，该封装具有良好的热性能和机械强度，便于自动化生产并确保在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的项目，通过授权的ST一级代理进行采购是保障正品和获取完整技术资料的有效途径。

凭借其高性能指标，STB57N65M5非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器的功率转换部分。其设计充分考虑了现代电力电子系统对效率、尺寸和可靠性的综合要求。

• 型号:STB57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取STB57N65M5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB57N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格为650V漏源电压（Vdss）和42A（Tc）连续漏极电流，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合，典型值分别为63毫欧 @ 10V, 21A和98nC @ 10V。这一特性使其在传导损耗和开关损耗方面均有出色表现，有助于提升电源系统的整体能效和功率密度。器件最高工作结温为150°C，确保了在高温环境下的稳定性和可靠性。