STB5N80K5

STB5N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5系列技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在为高电压开关应用提供卓越的性能与可靠性平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，在维持高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_g），从而有效提升了整体能效。

该MOSFET具备800V的高漏源击穿电压（V_DSS），为应对工业及消费类电源中的电压尖峰和浪涌提供了充足的裕量，增强了系统的鲁棒性。其导通电阻在10V栅极驱动电压、2A漏极电流条件下典型值仅为1.75欧姆，结合极低的栅极电荷（典型值5nC @ 10V），共同实现了快速开关特性和低开关损耗，这对于提升开关电源（SMPS）的转换效率至关重要。器件采用表面贴装型D2PAK封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（T_C）条件下最大功耗可达60W，并支持-55°C至150°C的宽结温（T_J）工作范围，确保了在苛刻环境下的稳定运行。

在接口与参数方面，STB5N80K5设计为标准的N沟道增强型MOSFET，其栅源驱动电压（V_GS）最大额定值为±30V，而实现完全导通的推荐驱动电压为10V。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V @ 100A，提供了良好的噪声抑制能力。较低的输入电容（C_iss，最大值177pF @ 100V）进一步简化了栅极驱动电路的设计。用户可以通过授权的ST代理商获取该产品的完整技术资料、样品及供货支持。

凭借其高耐压、高效率和高可靠性的特点，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动辅助电源等场景。它为设计工程师在开发适配器、LED驱动、家电和工业电源等产品时，提供了一个能够优化系统效率、功率密度和成本效益的出色功率开关解决方案。

• 型号:STB5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB5N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心特性包括高达800V的漏源电压（V_DSS）和4A的连续漏极电流（I_D）能力，为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优化的动态特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为1.75欧姆，同时栅极电荷（Q_g）极低。这种低R_DS(on)与低Q_g的组合，能够显著降低导通损耗和开关损耗，提升电源系统的整体能效。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类环境下的稳定性和长寿命。