STB60NF10-1

STB60NF10-1是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔安装的I2PAK封装，专为高功率密度应用设计，其核心架构通过优化的单元结构和先进的沟槽工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，从而有效降低了传导损耗和开关损耗。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达100V，确保了在严苛的电压应力下稳定工作。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值可达80A，展现了强大的电流处理能力。其关键性能指标，在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为23毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Qg）在10V条件下最大值为104nC，结合4270pF的输入电容（Ciss），表明器件具备较快的开关速度，有助于提升开关频率并降低驱动损耗。

在接口与参数方面，该器件设计有±20V的最大栅源电压（Vgs）容限，为栅极驱动提供了宽裕的安全裕度。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。器件的最高结温（TJ）为175°C，在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散为300W，结合I2PAK封装优异的散热特性，使其能够适应高功率、高环境温度的工作条件。用户可通过正规的ST代理商获取该产品的详细技术资料与库存信息。

凭借其高电压、大电流、低导通电阻和坚固的封装特性，STB60NF10-1非常适合应用于对效率和可靠性要求极高的功率转换领域。典型应用场景包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动与控制系统中的H桥或半桥拓扑、以及不间断电源（UPS）和电焊机中的功率开关模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在存量设备维护和特定设计方案中仍具有重要参考价值。

• 型号:STB60NF10-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:104 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4270 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 想获取STB60NF10-1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB60NF10-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列，采用I2PAK通孔封装。该器件核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）和高达80A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至23毫欧（@40A），能显著降低传导损耗。同时，104nC的栅极电荷（Qg）与4270pF的输入电容（Ciss）参数，确保了器件具备良好的开关特性。这些参数共同使其成为高效率电源转换和电机驱动等应用的理想功率开关选择。