STB76NF75

STB76NF75是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和制造工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与优异的开关性能平衡。其核心设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。该芯片采用坚固的D2PAK（TO-263）封装，提供了出色的热性能和功率处理能力，确保器件在高功率密度应用中稳定可靠地运行。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下，典型值仅为11毫欧。这一特性直接转化为更低的通态损耗，尤其适用于大电流开关场景。同时，其优化的栅极电荷（Q_g）典型值为160nC（@10V），结合适中的输入电容（C_iss），有助于降低驱动电路的负担，实现更快的开关速度和更高的开关频率，从而减小磁性元件的体积。其漏源击穿电压（V_DSS）为75V，在25°C壳温下连续漏极电流（I_D）高达80A，最大功率耗散可达300W，展现了强大的电流处理与散热能力。工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了其在严苛环境下的适应性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取此产品。

在接口与参数方面，该器件为标准的三引脚表面贴装型，栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，栅源电压（V_GS）可承受±20V，为驱动设计提供了充足的裕量。这些电气参数共同定义了一个高效、强健的功率开关界面，便于工程师进行系统集成与优化。

凭借其高性能组合，STB76NF75非常适合于对效率和功率密度有严格要求的应用场景。它常被用作开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流管，特别是在服务器电源、通信电源及工业电源等中高功率DC-DC转换器中。此外，在电机驱动控制、不间断电源（UPS）以及各类逆变器系统中，它也能有效承担功率切换任务，是实现高效电能转换的关键元器件之一。

• 型号:STB76NF75
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB76NF75是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET II技术和D2PAK封装。其核心优势在于极低的导通电阻（11mΩ @40A, 10V）与高达80A的连续漏极电流处理能力，能显著降低系统传导损耗，提升能效。

该器件具备优化的动态特性，栅极电荷（Qg）典型值为160nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，适用于高频开关应用。其75V的漏源电压和宽达-55°C至175°C的工作结温范围，确保了在严苛的工业与通信电源环境下的可靠性与鲁棒性。