TIP112

TIP112是ST意法半导体推出的一款NPN达林顿功率晶体管，采用经典的TO-220-3通孔封装，专为需要高电流增益和中等功率处理能力的开关及线性放大应用而设计。其核心架构基于达林顿对管结构，将两个NPN晶体管以复合形式集成，前级驱动管的发射极直接连接至后级功率管的基极，这种设计在单级放大中实现了极高的电流放大倍数，同时保持了器件结构的相对简洁与可靠性。

该器件的显著功能特点是其卓越的电流驱动能力与电压耐受性。其集电极-发射极击穿电压高达100V，最大集电极电流为2A，足以应对多种工业控制与消费电子领域的电压与电流需求。高达1000（最小值@1A, 4V）的直流电流增益(hFE)是其核心优势，这意味着仅需极小的基极驱动电流即可控制较大的负载电流，极大地简化了前级驱动电路的设计，并降低了对控制信号源的要求。此外，其饱和压降在典型工作条件下（2.5V @ 8mA, 2A）处于合理范围，有助于在导通状态下减少功耗。

在接口与关键参数方面，TIP112的封装形式为标准的TO-220，便于安装散热器以提升功率耗散能力，其最大功耗为2W，结合高达150°C的结温，确保了在恶劣环境下的稳定运行。集电极截止电流最大值为2mA，体现了良好的关断特性。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过正规的ST代理商获取原装产品与技术支援。其参数组合使其在需要高输入阻抗、高电流增益的场合表现出色。

基于其技术特性，TIP112非常适合应用于继电器、电磁阀、电机、灯组等感性或阻性负载的驱动电路中，常见于自动化设备、电源管理模块、音频放大器输出级以及汽车电子中的各种开关控制。其高增益特性也使其可用于线性稳压电源的调整管，或作为其他功率器件的预驱动级。总之，这是一款在成本、性能与可靠性之间取得优异平衡的经典功率开关器件。

• 型号:TIP112
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:NPN - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:2.5V @ 8mA，2A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1000 @ 1A，4V
• 功率 - 最大值:2 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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TIP112是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管，采用TO-220封装。其核心卖点在于极高的电流放大能力，直流电流增益(hFE)最小值达1000（@1A, 4V），能够以极小的基极输入电流控制高达2A的负载电流，显著简化驱动电路设计。

该器件具备100V的集射极击穿电压和2W的功耗处理能力，结温最高可至150°C，确保了良好的电压耐受性与工作稳定性。其典型的达林顿结构在提供高增益的同时，也带来了约2.5V的导通饱和压降，适用于中功率开关、线性放大及各类负载驱动场景。