STB78NF55-08

STB78NF55-08是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心架构优化了单元密度和沟道设计，使得在紧凑的芯片面积内能够承载高达80A的连续漏极电流，同时将导通损耗降至最低。这种设计理念特别适用于对效率和功率密度有严苛要求的现代电源与电机控制应用。

该MOSFET的显著特性包括55V的漏源击穿电压（Vdss）和在10V驱动电压、40A电流条件下仅8毫欧的典型导通电阻（Rds(on)）。低导通电阻直接转化为更低的热损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）典型值为155nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。其封装为标准的表面贴装D2PAK（TO-263），具有良好的散热能力和功率处理能力，在壳温（Tc）条件下最大功率耗散可达300W。

在电气参数方面，STB78NF55-08展现了宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温），确保了其在恶劣环境下的可靠性。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，提供了明确的导通门槛。这些参数共同定义了一款适用于中压、大电流场景的高性能开关器件。对于需要可靠货源和专业技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购咨询，以获取关于停产替代方案或库存的准确信息。

凭借其高电流处理能力、低导通损耗和稳健的封装，这款MOSFET非常适合作为同步整流器、DC-DC转换器中的主开关，或用于电机驱动、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的功率开关模块。它在需要高效能量转换和紧凑布局的设计中能发挥关键作用，是工程师构建高可靠性功率系统的经典选择之一。

• 型号:STB78NF55-08
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:155 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3740 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB78NF55-08是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心优势在于其55V的漏源电压（Vdss）和高达80A的连续漏极电流承载能力，适用于中高功率应用场景。

其技术亮点包括极低的导通电阻，典型值仅为8毫欧（@40A, 10V），这能显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，合理的栅极电荷（155nC @10V）有助于实现高效的开关性能。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。