STL25N15F4

STL25N15F4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET和DeepGATE技术平台构建。该器件采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，在紧凑的物理尺寸内实现了优异的功率处理能力与散热性能，专为高密度、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在保证高阻断电压的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而提升了整体能效。

该MOSFET的漏源电压（Vdss）高达150V，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达25A，展现出强大的功率承载能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、3A电流条件下典型值仅为63毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在48nC（@10V），结合±20V的最大栅源电压容限，使得器件能够实现快速开关并简化驱动电路设计，有利于提高开关电源的开关频率和功率密度。

在电气参数方面，STL25N15F4的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V（@250A），提供了良好的噪声抑制能力。其输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大为2710pF，与低栅极电荷共同决定了快速的开关瞬态响应。器件最大功率耗散为80W（Tc），结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关服务与库存信息。

凭借150V的耐压和25A的电流能力，这款MOSFET非常适合应用于DC-DC转换器、电机驱动控制、不间断电源（UPS）以及工业级开关电源的功率开关环节。其PowerFlat封装尤其契合空间受限的现代电子设备，如服务器电源、通信基础设施和自动化设备中的同步整流、逆变和负载开关电路。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的高性能与高可靠性理念，仍在相关领域的技术选型中具有参考价值。

• 型号:STL25N15F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2710 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL25N15F4是ST意法半导体基于STripFET和DeepGATE技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装PowerFlat（5x6）封装，提供150V的漏源电压（Vdss）和高达25A（Tc）的连续漏极电流（Id）处理能力，适用于中高功率应用场景。

其关键电气特性包括在10V驱动电压下低至63毫欧（@3A）的导通电阻，以及最大48nC（@10V）的栅极电荷，这有助于降低导通损耗并实现高效率的快速开关。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，最大功率耗散为80W（Tc），确保了在 demanding 环境下的稳定性和可靠性。