STL26NM60N

STL26NM60N是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh II产品系列。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构基于ST专有的MDmesh（多漏极网格）技术，通过在硅片内部构建一个三维的电荷平衡结构，有效降低了导通损耗并提升了开关性能，这对于高压开关应用中的效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的功能特点。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了在工业级电源和电机驱动等高压环境下的可靠运行。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）和10A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为185毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在60nC（@10V），较低的栅极电荷有助于减少开关损耗，并降低对栅极驱动电路的要求，从而简化设计并提升开关频率潜力。

在接口与关键参数上，STL26NM60N提供了灵活的驱动选项，其栅源电压（Vgs）最大耐受范围为±30V。器件在壳温（Tc）25°C条件下的连续漏极电流（Id）额定值可达19A，展现了强大的电流处理能力。其采用表面贴装型的PowerFlat（8x8）HV封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，有助于实现高功率密度设计。最高结温（Tj）为150°C，结合其封装的热阻特性，确保了在严苛工况下的稳定工作。对于需要本地化技术支持和供应链保障的客户，可以联系ST中国代理获取详细的产品资料和设计支持。

基于其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，STL26NM60N非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等。在这些应用中，它能够有效提升系统整体能效，减少热量产生，并有助于实现更紧凑、更可靠的电源解决方案设计。

• 型号:STL26NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Ta），19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:185 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125mW（Ta），3W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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STL26NM60N是ST意法半导体MDmesh II系列中的一款N沟道功率MOSFET，专为高效高压开关应用而设计。其核心优势在于结合了600V的高漏源电压（Vdss）与低至185毫欧（@10V, 10A）的导通电阻（Rds(on)），这得益于先进的MDmesh II技术，显著降低了功率损耗。

该器件采用PowerFlat HV表面贴装封装，在紧凑尺寸下提供了良好的散热能力。其栅极电荷（Qg）最大值仅为60nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗，而19A（Tc）的连续漏极电流额定值则确保了强大的电流处理能力。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率因数校正等应用的理想选择。