STU95N2LH5

作为STripFET V系列的一员，STU95N2LH5是一款采用N沟道增强型平面MOSFET技术的功率器件，其核心架构基于意法半导体先进的垂直沟道设计。该设计优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，通过精密的制造工艺，在硅片层面实现了极低的载流子传输损耗，从而为高电流、低电压开关应用提供了高效的解决方案。其I-PAK（TO-251）通孔封装不仅提供了良好的机械强度和散热路径，也便于在传统PCB板上进行可靠的焊接安装。

该器件在电气性能上表现突出，其最大连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下高达80A，而漏源击穿电压（V_DSS）为25V，使其非常适用于低压大电流的功率路径管理。其导通电阻特性尤为关键，在10V栅极驱动电压（V_GS）和40A漏极电流条件下，R_DS(on)最大值仅为4.9毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低，有助于提升系统整体能效。此外，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为1V，配合低至13.4nC（@5V）的栅极总电荷（Q_g），确保了快速的开关切换能力和对驱动电路的简易性要求，有利于减少开关损耗并简化栅极驱动设计。

在接口与参数方面，该MOSFET支持高达±25V的栅源电压，为驱动电路提供了充足的裕量。其输入电容（C_iss）在25V漏源电压下最大为1817pF，这是评估开关速度的重要参数之一。器件标称的最大功率耗散为70W（T_C），结合其宽泛的结温工作范围（-55°C至175°C），展现了强大的热性能和环境适应性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关的产品资料、库存信息以及设计协助。

基于上述特性，STU95N2LH5非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括计算机系统中的同步整流、DC-DC转换器中的低压侧开关、电机驱动控制电路以及各类电源管理单元中的负载开关。其优异的R_DS(on)和开关特性，使其能够在这些应用中有效降低导通与开关损耗，提升电源转换效率，尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中仍具有重要的参考价值和使用需求。

• 型号:STU95N2LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 80A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.9 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU95N2LH5是意法半导体推出的STripFET V系列N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I-PAK封装，核心优势在于其极低的导通电阻，在10V V_GS和40A条件下最大值仅为4.9mΩ，配合高达80A的连续漏极电流能力，能够显著降低大电流应用中的导通损耗。

其电气参数针对高效开关进行了优化，包括低栅极电荷（13.4nC @5V）和适中的栅极阈值电压，这有助于实现快速开关并简化驱动电路设计。器件额定漏源电压为25V，适用于低压、高电流的功率转换和开关路径，如同步整流、DC-DC转换器和电机控制等场景。