STD9NM60N

STD9NM60N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，通过创新的单元布局和工艺技术，在单位芯片面积内实现了低导通电阻(Rds(on))与低栅极电荷(Qg)的出色平衡。这种核心架构旨在显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效，其内部集成的快速恢复体二极管进一步优化了硬开关应用中的反向恢复特性。

得益于MDmesh II技术，该MOSFET展现出卓越的电气性能。其漏源击穿电压(Vdss)高达600V，确保了在高压环境下的可靠隔离与工作稳定性。在25°C壳温条件下，器件可支持高达6.5A的连续漏极电流，并具备70W的功率耗散能力。其导通电阻在10V驱动电压、3.25A电流条件下典型值仅为745毫欧，有效减少了功率传输过程中的热损耗。同时，最大栅极电荷低至17.4nC，结合452pF的典型输入电容，使得开关速度更快，驱动电路的设计更为简化，有助于提升系统频率并降低驱动损耗。

在接口与参数方面，STD9NM60N采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的热性能和机械强度，便于自动化生产。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±25V的栅源电压，提供了较强的抗干扰能力。阈值电压Vgs(th)最大值为4V，有助于防止因噪声引起的误开启。器件结温最高可工作至150°C，适应严苛的工作环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

这款MOSFET主要面向高效率、高可靠性的功率转换应用场景。它非常适用于开关电源(SMPS)的PFC(功率因数校正)电路和DC-DC转换器中的主开关或同步整流，例如在服务器电源、工业电源和适配器中。此外，凭借其高压特性，它也适用于电机驱动控制、照明镇流器以及UPS(不间断电源)系统中的功率开关部分。其优异的性能平衡使其成为追求高功率密度和高效率的现代电力电子设计的理想选择。

• 型号:STD9NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:745 毫欧 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:452 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD9NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心规格包括600V的漏源电压(Vdss)和6.5A的连续漏极电流，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的优化组合。在10V驱动电压下，其导通电阻(Rds(on))典型值仅为745毫欧，同时最大栅极电荷(Qg)低至17.4nC。这一特性组合能有效降低系统的传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效和功率密度。器件采用DPAK表面贴装封装，最大结温为150°C，适用于要求高可靠性和紧凑布局的电源转换与电机控制设计。