STB80NF55L-06T4

STB80NF55L-06T4是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化元胞结构和沟道设计，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻与出色的开关特性平衡。其核心架构旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。封装采用工业标准的D2PAK表面贴装形式，具有良好的功率处理能力和散热特性，便于在紧凑的PCB布局中进行自动化生产装配。

该MOSFET的关键电气性能十分突出。其漏源电压额定值为55V，在25°C壳温条件下能够持续承受高达80A的漏极电流，峰值功率处理能力强劲。尤为值得关注的是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、40A漏极电流的测试条件下，Rds(on)最大值仅为6.5毫欧，这直接转化为更低的导通压降和发热量，显著提升了电能转换效率。同时，其栅极阈值电压典型值较低，最大值为1V @ 250A，配合136nC @ 5V的栅极电荷总量，意味着它能够被快速驱动，实现高效的开关动作，并降低对栅极驱动电路的要求。

在接口与参数方面，该器件设计稳健，栅源电压可承受±20V的范围，为驱动设计提供了充足的裕量。其输入电容在25V漏源电压下最大值为4850pF，是评估开关速度与驱动损耗的重要参数。器件标称的最大功率耗散为300W（Tc），结合其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C），确保了其在严苛环境下的可靠性与长期稳定性。这些参数共同定义了一个适用于高频、高效率开关应用的强大开关元件。

基于其优异的性能组合，STB80NF55L-06T4非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、高性能计算机的VRM（电压调节模块）、电机驱动与控制系统（如电动工具、无人机电调）、以及各类开关电源的同步整流和初级侧开关。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品，以确保元器件的正宗来源和完整的应用支持。

• 型号:STB80NF55L-06T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:136 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB80NF55L-06T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的导通损耗，其漏源电压（Vdss）为55V，在壳温25°C时连续漏极电流（Id）可达80A。

其技术参数针对高效率开关应用进行了优化。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至6.5毫欧（@40A），能显著降低传导过程中的功率损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C TJ）使其能够胜任高频开关任务，并在各种环境条件下保持稳定可靠的性能，是同步整流、电机驱动和DC-DC转换器等应用的理想选择。