STB85NF55T4

STB85NF55T4是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心设计目标是在紧凑的封装内提供极低的功率损耗，这对于提升系统整体效率、降低热管理需求至关重要。

该MOSFET具备55V的漏源击穿电压(Vdss)和高达80A的连续漏极电流(Id)承载能力，为中等电压、大电流应用提供了坚实的保障。其最突出的电气特性之一是在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下，导通电阻(Rds(on))典型值仅为8毫欧。极低的Rds(on)直接转化为更低的导通损耗，尤其在频繁开关或持续导通的工况下，能显著减少热量产生。同时，其栅极电荷(Qg)在10V条件下最大值为150nC，较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使开关频率可以更高，系统响应更迅速。

在封装与可靠性方面，该器件采用工业标准的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的功率处理能力和散热特性，其最大功率耗散可达300W（基于壳温）。宽广的工作结温范围（-55°C 至 175°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行。其他关键参数，如±20V的最大栅源电压(Vgs)和4V的最大栅极阈值电压(Vgs(th))，为驱动电路的设计提供了明确的边界和足够的噪声容限。对于需要可靠供应链和本地技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其优异的性能组合，STB85NF55T4非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括DC-DC转换器（如同步整流、降压或升压拓扑）、电机驱动与控制（如电动工具、工业电机、风扇驱动）、电源管理（如服务器电源、不间断电源UPS中的开关元件）以及电池保护电路和各类负载开关。在这些应用中，它能够有效提升能效，减小系统体积，并增强整体可靠性。

• 型号:STB85NF55T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取STB85NF55T4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB85NF55T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格为55V漏源电压和80A连续漏极电流，专为高效功率转换设计。

其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、40A Id条件下典型值仅为8mΩ，这能大幅降低导通状态下的功率损耗。同时，150nC（最大值）的栅极电荷有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，两者结合显著提升了系统整体效率。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性。