STB9NK70Z-1

STB9NK70Z-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺，通过优化的单元结构和外延层设计，在实现高达700V的漏源击穿电压（Vdss）的同时，有效控制了芯片的比导通电阻。其封装形式为通孔安装的I2PAK，这种封装提供了良好的机械强度和散热能力，便于在功率电路中实现可靠的电气连接和热管理。

作为SuperMESH系列的一员，该MOSFET的核心优势在于其优异的开关性能与导通损耗的平衡。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗和开关延迟，提升整体能效。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了较强的栅极驱动噪声容限，增强了系统在复杂电磁环境下的鲁棒性。

在电气参数方面，该器件在壳温（Tc）条件下可连续通过7.5A的漏极电流（Id），最大功耗为115W。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了与标准逻辑电平或栅极驱动电路的兼容性。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应工业级应用的严苛环境要求。对于需要技术支持或批量采购的客户，可以联系ST中国代理获取进一步的产品信息与供应链支持。

凭借700V的高压耐受能力和良好的动态特性，STB9NK70Z-1非常适用于需要高效功率转换和开关控制的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源部分。其设计旨在帮助工程师在离线式电源等高压应用中，实现更高的功率密度和系统可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为后续产品开发提供了有价值的参考。

• 型号:STB9NK70Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STB9NK70Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心电气特性包括700V的漏源电压（Vdss）和7.5A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于通过优化的结构实现了较低的导通电阻（1.2Ω @ 10V, 4A）与栅极电荷（68nC @ 10V）的组合，这有助于在降低导通损耗的同时，提升开关速度与效率。器件支持宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和±30V的栅源电压，确保了在工业电源、照明及电机控制等应用中的稳定性和耐用性。