STC5NF20V

STC5NF20V是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款双N沟道功率MOSFET阵列。该器件采用先进的沟槽栅工艺，将两个独立的逻辑电平门控MOSFET集成于一个紧凑的8-TSSOP封装内，实现了高功率密度与空间效率的平衡。其核心架构旨在优化开关性能与导通损耗，通过精心的芯片布局与互连设计，有效降低了寄生参数，为高频开关应用提供了坚实的基础。

该芯片的显著特性在于其优异的导通电阻与栅极电荷性能组合。在4.5V的Vgs驱动下，其导通电阻（RDS(on)）典型值低至40毫欧（@2.5A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为11.5nC（@4.5V），结合较低的栅极阈值电压（Vgs(th)），使其能够被微控制器或低压逻辑电路轻松、快速地驱动，显著降低了栅极驱动电路的复杂性和功耗，提升了开关速度。

在电气参数方面，STC5NF20V的连续漏极电流（Id）额定值为5A，漏源击穿电压（Vdss）为20V，适用于常见的5V、12V等低压总线系统。其输入电容（Ciss）较小，有助于进一步减少开关过程中的动态损耗。器件采用表面贴装封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要可靠供应链支持的批量项目，建议通过官方ST授权代理进行采购咨询，以获取原厂技术支持与供货保障。

凭借其逻辑电平兼容、高效率和小尺寸的特点，STC5NF20V非常适合应用于空间受限且对功耗敏感的设备中。典型应用场景包括直流-直流转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动模块中的H桥或半桥电路、便携式设备中的电源管理单元（PMU），以及各类需要紧凑型双开关解决方案的消费电子和工业控制板卡。其设计充分满足了现代电子产品对高性能、小型化和高可靠性的综合需求。

• 型号:STC5NF20V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 8TSSOP
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:600mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• 想获取STC5NF20V的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STC5NF20V是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的双N沟道逻辑电平MOSFET阵列，封装于紧凑的8-TSSOP中。其核心优势在于优异的性能平衡，提供低至40毫欧的导通电阻（@2.5A, 4.5V）以最小化传导损耗，同时具备仅11.5nC的低栅极电荷（@4.5V），确保快速开关与简易驱动。

该器件额定值为20V漏源电压与5A连续漏极电流，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于低压、高密度设计。这些特性使其成为空间和效率至关重要的同步整流、电机驱动、负载开关及便携设备电源管理等应用的理想选择。