STD10P10F6

STD10P10F6是意法半导体（STMicroelectronics）推出的STripFET F6系列中的一款高性能P沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺技术制造，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心架构优化了单元密度和栅极电荷，有效降低了传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。该芯片采用表面贴装型DPAK封装，具有良好的热性能，便于在紧凑的PCB布局中实现高效的功率管理。

作为一款P沟道MOSFET，其漏源电压（Vdss）高达100V，并且在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达10A，展现出强大的功率处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压、5A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为180毫欧。这一特性直接转化为更低的导通压降和更少的热量产生，显著提升了电源转换和电机控制等应用的能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为16.5nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，该器件设计稳健，栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了宽裕的驱动安全余量。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。最大输入电容（Ciss）为864pF @ 80V，结合低栅极电荷，共同优化了开关动态特性。该器件支持高达175°C的结温（TJ）工作，最大功率耗散为40W（Tc），结合DPAK封装的热性能，能够应对严苛的工作环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息、样品及采购服务。

基于其高耐压、大电流和优异的开关特性，STD10P10F6非常适用于需要高效功率切换和控制的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的高端开关或同步整流，电机驱动电路（如电动工具、风扇控制），以及电池保护电路、电源管理和工业自动化系统中的负载开关。其P沟道特性简化了栅极驱动电路设计，尤其在由低压逻辑信号直接控制高压侧开关的场景中，能够减少元件数量，降低系统复杂性和成本。

• 型号:STD10P10F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864 pF @ 80 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD10P10F6是ST意法半导体STripFET F6系列中的一款P沟道功率MOSFET，采用表面贴装DPAK封装。该器件设计用于提供高效的功率开关解决方案，其核心参数包括100V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），具备处理中高功率等级的能力。

器件的关键优势在于其优异的导通性能与开关特性平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(On)）最大值低至180毫欧（@5A），这有助于最小化传导损耗。同时，最大16.5nC的低栅极电荷（Qg @10V）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，使其适用于高频开关应用。其工作结温高达175°C，展现了良好的热可靠性。