STD12NM50ND

STD12NM50ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型DPAK封装，专为高电压、高效率的功率开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而提升了整体能效和开关性能。

该MOSFET具备500V的高漏源电压（Vdss）额定值，为离线式电源和电机驱动等应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达11A，展现了良好的电流处理能力。其关键特性在于优异的导通电阻表现，在10V驱动电压（Vgs）和5.5A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为380毫欧，这直接有助于降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在30nC（@10V），结合850pF（@50V）的输入电容（Ciss），确保了快速的开关切换和较低的驱动损耗，有利于提高系统工作频率。

在接口与参数方面，该器件设计稳健，栅源电压（Vgs）可承受±25V的最大值，增强了抗干扰能力。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V（@250A），属于标准逻辑电平驱动范畴，便于与控制器接口。器件的最大功率耗散为100W（Tc），最高结温（TJ）可达150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术支持和库存信息。

凭借其高电压、低导通电阻和快速开关的特性，STD12NM50ND非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及低功率电机驱动和逆变器。其DPAK封装形式也使其能够适应自动化表面贴装生产流程，满足现代电子制造的需求。

• 型号:STD12NM50ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD12NM50ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其500V的高漏源击穿电压（Vdss）与低至380毫欧（@10V， 5.5A）的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，能够在高压应用中有效降低导通损耗。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，在25°C壳温下可支持11A的连续漏极电流，并具备30nC的低栅极电荷（Qg）和150°C的最高工作结温。这些特性使其特别适用于需要高可靠性和高效率的功率转换领域，如开关电源、功率因数校正及电机控制等。