STD130N4F6AG

STD130N4F6AG是意法半导体（STMicroelectronics）面向严苛汽车电子应用推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive STripFET F6产品系列，采用先进的沟槽栅工艺技术制造，专为在紧凑的封装内实现极低的导通损耗和高功率密度而优化。其核心架构基于意法半导体成熟的STripFET技术，通过精细的单元结构和优化的沟槽设计，在确保高可靠性的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），为高效率功率转换奠定了物理基础。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，能够提供低至3.6毫欧（典型值）的导通电阻，这一特性在40A的电流条件下测得，意味着在导通状态下的功率损耗极低。配合高达80A的连续漏极电流（T_C=25°C）和143W（T_C）的最大功率耗散能力，使其能够从容应对大电流负载场景。其栅极电荷（Q_g）典型值控制在70nC（@10V）的较低水平，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升高频开关性能，对于开关电源等应用至关重要。此外，其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了稳健的驱动安全裕度。

在电气参数方面，STD130N4F6AG的漏源击穿电压（V_DSS）为40V，适用于常见的12V和24V汽车电池系统。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。器件采用标准的表面贴装DPAK（TO-252）封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，完全满足汽车级元器件对极端温度环境适应性的要求。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品，确保原装正品和技术支持。

凭借其优异的性能与可靠性，此器件主要面向汽车领域的各类功率控制与转换应用。它非常适合用作发动机控制单元（ECU）、车身控制模块（BCM）中的负载开关，以及LED照明驱动、电机驱动（如风扇、泵）等电路中的主开关元件。在DC-DC转换器（尤其是同步整流拓扑）中，其低R_DS(on)和良好的开关特性有助于提升整体能效。此外，在工业电源、低压大电流电源模块等非汽车领域，它同样是一个高性价比和高可靠性的选择。

• 型号:STD130N4F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:143W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD130N4F6AG是意法半导体推出的AEC-Q101认证汽车级N沟道MOSFET，采用STripFET F6技术。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS和40A条件下典型值仅为3.6mΩ，配合80A的连续漏极电流能力，可显著降低导通损耗，提升系统效率。

该器件设计用于严苛环境，工作结温范围覆盖-55°C至175°C。其优化的栅极电荷（70nC @10V）有助于实现快速的开关切换，降低驱动损耗。40V的漏源电压使其成为12V/24V汽车电池系统及工业电源中功率开关和同步整流的理想选择，封装形式为便于散热的表面贴装DPAK。