STD16N50M2

STD16N50M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，有效降低了单位面积下的导通损耗，同时保持了出色的开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其500V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在高压应用中的可靠性与安全裕度。在导通性能方面，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，器件拥有优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升开关频率潜力，并简化驱动电路的设计。其最大连续漏极电流（Id）在特定条件下可达13A，并采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，兼具良好的功率处理能力与便捷的自动化生产装配优势。

从接口与参数来看，STD16N50M2的标准驱动电压为10V，栅源电压最大可承受±25V，提供了宽裕的驱动设计窗口。其阈值电压Vgs(th)设计合理，有助于防止误触发并增强抗干扰能力。器件支持高达110W（Tc）的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，能够适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

基于其性能组合，这款MOSFET非常适合应用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）中，例如服务器电源、通信电源的PFC（功率因数校正）和DC-DC变换级。此外，它在电机驱动控制、工业照明（如LED驱动）、不间断电源（UPS）以及各类电子设备的逆变电路中也表现出色，是实现紧凑、高效功率解决方案的关键元件之一。

• 型号:STD16N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:710 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD16N50M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用MDmesh技术，封装形式为TO-252（D-Pak）。其核心电气参数包括500V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了基础保障。

该器件的关键优势在于其优异的动态与静态性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下具有较低值，有助于减少导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性确保了更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于提升整体电源系统的效率和功率密度。