STD18N55M5

STD18N55M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在高压应用中实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）乘积，这一关键指标直接决定了开关电源的转换效率与开关损耗。其550V的漏源击穿电压（Vdss）为设计提供了充足的电压裕量，确保在工业级AC-DC变换或电机驱动等存在电压尖峰的环境中稳定工作。

在电气特性方面，该MOSFET在10V驱动电压下，导通电阻典型值仅为192毫欧（@8A），结合其高达16A的连续漏极电流（Tc）能力，意味着在导通状态下能够有效降低传导损耗，提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在31nC（@10V），配合适中的输入电容（Ciss），使得器件具备快速的开关切换能力，有助于提高开关频率，从而减小外围磁性元件的体积和成本。其栅源电压（Vgs）支持±25V，提供了较强的驱动噪声容限。

该芯片采用表面贴装型DPAK封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（Tc）下最大功耗可达110W，结温（Tj）最高支持150°C，确保了在高温环境下的可靠运行。这些参数共同塑造了其高耐压、低损耗、高可靠性的核心特性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

基于上述技术优势，STD18N55M5非常适用于要求高效率和高功率密度的开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、工业电机驱动与变频器、以及不间断电源（UPS）和逆变器等应用场景。其性能表现能够帮助工程师在满足严苛的能效标准（如80 PLUS）的同时，优化系统热设计与成本结构。

• 型号:STD18N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:192 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1260 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD18N55M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh V产品系列。该器件采用DPAK封装，核心额定参数为550V漏源电压（Vdss）与16A连续漏极电流（Id），专为高压、大电流开关应用而设计。

其技术亮点在于实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的良好平衡。在10V驱动下，导通电阻典型值低至192毫欧，能显著降低导通损耗；同时，最大31nC的栅极电荷确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升系统效率与功率密度。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中功率开关单元的优选解决方案。