STD18N60M6

STD18N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心设计通过精细的单元结构和创新的电荷平衡技术，有效降低了单位面积的导通损耗，同时确保了在高压开关应用中的快速开关性能和出色的雪崩耐量，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换及电机驱动中的高压母线环境。在导通特性方面，器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值远低于280毫欧（@6.5A），这意味着在传导过程中产生的热量更少，有助于提升系统整体能效。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为16.8nC，结合适中的输入电容，显著降低了开关过程中的驱动损耗，有利于实现更高频率的开关操作，从而允许使用更小体积的磁性元件。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

在接口与参数层面，该器件采用标准的DPAK（TO-252）表面贴装封装，具有良好的功率耗散能力和便于自动化生产的工艺兼容性。其最大连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达13A，最大功耗为110W（Tc），为紧凑型设计提供了充足的功率处理裕量。栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±25V的应力，增强了系统的鲁棒性。对于需要稳定供应链和全面技术支持的设计项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障产品正宗与供货顺畅的重要途径。

基于其高性能指标，STD18N60M6非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及电焊机等设备的功率级。其优异的开关特性与热性能，使其成为提升系统功率密度和能源效率的理想选择。

• 型号:STD18N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD18N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与13A连续漏极电流（Id），专为高效能功率开关应用而设计。

其技术优势体现在极低的导通损耗与开关损耗上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为280毫欧，同时栅极电荷（Qg）低至16.8nC。这一组合特性确保了器件在导通状态和开关瞬态均能实现高效率，有助于降低系统整体温升并提升功率密度。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）进一步保障了其在苛刻环境下的长期运行可靠性。