STD1NK60T4

STD1NK60T4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH系列N沟道功率MOSFET，采用表面贴装型DPAK封装。该器件基于先进的平面MOSFET技术，通过优化的单元结构和制造工艺，在600V的高压等级下实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这一特性对于提升开关电源等高频应用的整体效率至关重要。其内部架构旨在平衡高耐压与低损耗，为设计人员提供了可靠的高压开关解决方案。

该MOSFET的核心优势在于其高压性能与开关特性的良好结合。600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对反激式拓扑中的电压尖峰，确保系统在恶劣的电网条件下稳定运行。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为8.5欧姆（@500mA），这有助于降低导通状态下的功率损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）低至10nC（@10V），结合156pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有快速的开关速度，能够有效降低开关损耗，尤其适合工作在几十kHz到上百kHz的开关频率下。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.7V，与标准逻辑电平驱动兼容性良好。

在电气参数方面，STD1NK60T4在壳温（Tc）条件下的连续漏极电流额定值为1A，最大允许栅源电压为±30V，提供了充足的驱动安全裕量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。该器件采用DPAK（TO-252）封装，这是一种广泛使用的表面贴装功率封装，具有良好的散热能力和自动化生产适应性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购，以保障产品来源的正规性与项目开发的连续性。

凭借其高压、低损耗和快速开关的特性，该器件非常适合应用于小功率离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关，例如手机充电器、适配器、辅助电源等。此外，它也可用于功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器、电机驱动中的预驱动级，以及任何需要高效高压开关功能的场合。其稳健的设计和意法半导体的品质保证，使其成为工程师在追求高性价比和高可靠性设计时的优选元件。

• 型号:STD1NK60T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:156 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD1NK60T4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD1NK60T4是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件设计用于高压开关应用，其核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和1A的连续漏极电流（Tc）。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值为8.5欧姆，同时栅极电荷（Qg）低至10nC。这种低导通电阻与低栅极电荷的组合，有助于同时降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率。器件支持-55°C至150°C的宽结温范围工作，确保了在各种环境下的稳定性和可靠性。