STD25NF10LT4

STD25NF10LT4是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和布局，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的平衡。这种核心架构设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。其封装形式为坚固耐用的表面贴装型DPAK，具有良好的热性能和机械可靠性，便于自动化生产。

该MOSFET的显著特性在于其优异的电气性能组合。它具备100V的漏源击穿电压（V_DSS）和在壳温（T_C）25°C下达25A的连续漏极电流能力，为中等功率应用提供了充足的电压和电流裕量。其导通电阻在10V栅源驱动电压（V_GS）和12.5A漏极电流条件下，典型值仅为35毫欧，确保了在导通状态下极低的功率耗散。同时，最大2.5V的低栅极阈值电压（V_GS(th)）和在5V V_GS下仅52nC的栅极总电荷，使其能够被低电压逻辑信号轻松、快速地驱动，有效提升了开关速度并降低了驱动电路的复杂性。这些参数共同构成了其高效、快速开关的核心功能特点。

在接口与参数方面，该器件设计有稳健的栅极，可承受高达±16V的栅源电压，增强了抗干扰能力。其输入电容（C_iss）在25V V_DS下最大为1710pF，结合较低的Q_g，有助于优化高频开关性能。器件的最大功耗为100W（T_C），并且结温（T_J）工作范围宽达-55°C至175°C，保证了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

基于上述技术特性，STD25NF10LT4非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制电路、电池保护电路以及各类工业电源中的功率开关部分。其快速开关能力和良好的热性能，使其在空间受限且对能效有严格要求的现代电子设备中成为理想的选择。

• 型号:STD25NF10LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1710 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD25NF10LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心电气参数包括100V的漏源电压（V_DSS）和25A（T_C）的连续漏极电流额定值，为设计提供了坚实的功率处理基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V V_GS驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至35毫欧（最大值），能显著降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_g）和栅极阈值电压（V_GS(th)）确保了快速、高效的开关动作，并兼容低电压驱动逻辑。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动及功率转换系统效率的关键元件。