STD2NK60Z-1

STD2NK60Z-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I-PAK封装，其核心设计旨在优化高压开关应用中的性能与可靠性平衡。其架构通过先进的单元设计和工艺优化，在保持较低导通电阻的同时，有效控制了寄生电容，为高效的能量转换提供了硬件基础。

该器件具备600V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC转换、开关电源（SMPS）及照明驱动中常见的电压应力和开关浪涌。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为1.4A。其导通特性表现突出，在10V栅极驱动电压（Vgs）和700mA漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为8欧姆，这直接有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。

在动态开关性能方面，STD2NK60Z-1展现了良好的参数平衡。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了与标准逻辑电平或控制器输出的良好兼容性。在10V Vgs条件下，最大栅极电荷（Qg）为10nC，结合最大170pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的能量较低，有助于简化栅极驱动设计并减少开关损耗。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了充足的噪声裕量，增强了在复杂电磁环境中的工作鲁棒性。其最大结温（Tj）范围为-55°C至150°C，并能在壳温（Tc）下耗散高达45W的功率，显示了其宽温域工作的能力与坚固性。用户可通过ST授权代理获取该器件的完整技术规格、应用支持及库存信息。

综合其电气参数与封装形式，该MOSFET非常适合应用于对成本与性能有综合要求的离线式电源、功率因数校正（PFC）辅助电路、电子镇流器以及小功率电机驱动等场景。其I-PAK封装提供了良好的机械强度和散热能力，便于在通孔PCB板上进行可靠的焊接与安装。尽管该产品系列目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在特定存量项目或对长期可靠性有极高要求的领域仍具参考价值。

• 型号:STD2NK60Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 700mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:170 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STD2NK60Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和1.4A的连续漏极电流（Id），为高压、小电流开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通与开关特性平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至8欧姆@700mA，有助于最小化传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为10nC @ 10V，输入电容（Ciss）也得到有效控制，这共同降低了驱动需求与开关损耗，有利于提升系统频率和效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为45W（Tc），确保了在苛刻环境下的稳定运行。